光(guāng)電開關
Photoelectric Sensor
IMS自主(zhǔ)研發(fā)了(liǎo)多個係列(liè)的(dí)CMOS集(jí)成光電傳(chuán)感器(qì)IC，光(guāng)電傳(chuán)感器(qì)專(zhuān)用(yòng)電路(lù)（ASIC)，電感(gǎn)傳(chuán)感器(qì)ASIC，電(diàn)容傳感器(qì)ASIC，在綫(xiàn)可編(biān)程霍(huò)爾傳(chuán)感器，CMOS集成(chéng)壓力(lì)傳感(gǎn)器。這些(xiē)具有國際先(xiān)進水平的(dí)傳感(gǎn)器(qì)芯片確(què)保(bǎo)了(liǎo)公(gōng)司傳(chuán)感器的優(yōu)異性(xìng)能(néng)，技(jì)術指標達到(dào)或(huò)者超越(yuè)進口(kǒu)品牌(pái)。
IMS可編程(chéng)的CMOS集(jí)成傳(chuán)感器/傳感器(qì)ASICs芯片均(jūn)由德國(guó)/台(tái)灣具有汽車(chē)傳感器資質(zhì)的(dí)代(dài)工廠生產，能(néng)在(zài)-40℃~+150℃的溫度範圍工作，滿足汽車(chē)工業的嚴苛(kē)要(yào)求。
內置抗(kàng)光(guāng)電(diàn)路(lù)
內建(jiàn)自(zì)恢(huī)復(fù)短路保(bǎo)護(hù)功能，保(bǎo)證在(zài)輸(shū)出回(huí)路的電流(liú)大於預設的(dí)值(zhí)時，保護輸出回路（進(jìn)入保護狀(zhuàng)態(tài)的時間<1uS)，並在(zài)輸出(chū)回(huí)路恢(huī)復(fù)正(zhèng)常(cháng)時(shí)，迅(xùn)速(sù)恢復(fù)(<100mS)傳感器的(dí)正(zhèng)常輸(shū)出狀(zhuàng)態(tài)。
在傳(chuán)感器(qì)上電(diàn)時(shí)（Power On）, IMS的(dí)光電傳感(gǎn)器輸(shū)出在25ms之內不(bù)會(huì)改變狀態(tài)，保(bǎo)證傳感(gǎn)器輸(shū)出在上電時不(bù)誤(wù)動作。
相(xiāng)鄰傳(chuán)感(gǎn)器多(duō)個(gè)傳(chuán)感(gǎn)器可工(gōng)作在主從模(mó)式(shì)下(xià)，使相鄰(lín)傳感(gǎn)器的發射和(hé)接收(shōu)互不(bù)幹擾，因(yīn)而無需對光(guāng)路進(jìn)行任何(hé)調整（如(rú)使用光(guāng)柵等(děng)），即可讓(ràng)兩(liǎng)個(gè)或多(duō)個(gè)光電(diàn)傳感(gǎn)器靠(kào)近使(shǐ)用(yòng)（需要在訂貨(huò)時提出(chū)要(yào)求(qiú)）。 IMS的(dí)高速(sù)光幕(mù)（同(tóng)時輸出(chū)）也(yě)采用了這個(gè)技術。